面実装SiC MOSFET搭載サーバー・テレコム用3kW電源
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説明
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サーバー向け電源には高効率化、高電力化、省スペース化が求められるようになり、高電力密度化が必要不可欠になっています。当社最新の面実装SiCデバイスを採用することで、メイン基板と分離した形で子基板化することで電源の高電力密度化を実現しています。
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サーバー向け電源には高効率化、高電力化、省スペース化が求められるようになり、高電力密度化が必要不可欠になっています。当社最新の面実装SiCデバイスを採用することで、メイン基板と分離した形で子基板化することで電源の高電力密度化を実現しています。
東芝デバイス&ストレージ株式会社のパワー半導体は、カーボンニュートラルな社会の実現、電気消費量抑制のため、22年度下期より300mmシリコンウエハーによる増産を開始。ますます市場が拡大するパワー半導体の安定供給に向けて新製造棟の建設も決定。 ウエハーの大口径化と、より品質と効率の良い製造技術により大幅増産が可能となります。 自動車、鉄道、変電所など様ざまな場面で省エネに貢献し続けてまいります。
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