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车载MOSFET新封装介绍：DFN2020B(WF)
DFN2020B(WF)封装采用可焊锡侧翼引脚结构，可通过AOI设备确认可焊性。与SOT-23F封装相比，该封装在实现高散热性的同时，减少了约43%的贴装面积。
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车载MOSFET新型SMD封装“L-TOGL™”介绍
L-TOGL™通过新的封装技术实现了大电流工作，以及行业领先的低损耗和低发热特性。
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车载MOSFET新型SMD封装“S-TOGL™”介绍
S-TOGL™通过新的封装技术实现了高电流密度、低损耗和低发热量特性。
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48 V总线兼容1.2 V/100 A双降压DC-DC转换器参考设计
这是一款高效的DC-DC转换器，可将服务器上的48 V总线电压转换为 1.2 V/100 A，供服务器中的各种设备使用。电路设计和操作的设计文件和指南可用作参考设计。
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使用了共漏极MOSFET SSM10N961L的电源多路复用器
本视频介绍了使用MOSFET栅极驱动IC的电源多路复用器电路的参考设计。支持MBB／BBM模式切换，并且在小电路板上实现了理想的二极管特性。
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东芝USB Type-C™分立半导体产品介绍
在采用Type-C连接器方面，您需要帮助吗？ 东芝将根据客户的使用条件，针对Type-C连接器外围电源线和数据线提出合适的半导体产品。
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高压MOSFET、π-MOSⅨ系列简介
通过优化芯片设计，π-MOS IX系列提供了比目前的π-MOS VII系列更低的峰值EMI噪声，同时保持相同的效率水平。
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小封装、半功率分立器件―高密度安装―
该视频介绍可实现小型化与高耗散功率的US2H和TSOP6F封装。与相同尺寸的其他封装相比它热阻仅为22%。
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双面散热封装 DSOP Advance
我们提供具有双面冷却能力的封装，即通过一个散热器（顶部金属板）提供超低的通道至外壳热阻，所以采用DSOP Advance封装的MOSFET能简化热设计。
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DTMOSⅥ系列高压MOSFET
东芝DTMOSVI系列产品通过降低Ron·Qgd的性能指数，可提升开关电源的效率
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U-MOSⅨ-H 100V系列低压MOSFET
东芝U-MOSIX-H 100V系列产品通过权衡导通电阻和电荷，可提升DC-DC转换器的效率
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