小封装、半功率分立器件―高密度安装―
0:55
描述
相关视频
该视频介绍可实现小型化与高耗散功率的US2H和TSOP6F封装。与相同尺寸的其他封装相比它热阻仅为22%。
查看更多
查看更少
0:55
该视频介绍可实现小型化与高耗散功率的US2H和TSOP6F封装。与相同尺寸的其他封装相比它热阻仅为22%。
This is the introduction to reference design of Power Multiplexer Circuit using MOSFET gate driver. MBB/BBM switching is possible and ideal diode characteristics are realized on a small board.
3:59
我们提供具有双面冷却能力的封装,即通过一个散热器(顶部金属板)提供超低的通道至外壳热阻,所以采用DSOP Advance封装的MOSFET能简化热设计。
2:41
在采用Type-C连接器方面,您需要帮助吗? 东芝将根据客户的使用条件,针对Type-C连接器外围电源线和数据线提出合适的半导体产品。
3:34
通过优化芯片设计,π-MOS IX系列提供了比目前的π-MOS VII系列更低的峰值EMI噪声,同时保持相同的效率水平。
1:16
东芝DTMOSVI系列产品通过降低Ron·Qgd的性能指数,可提升开关电源的效率
1:06
东芝U-MOSIX-H 100V系列产品通过权衡导通电阻和电荷,可提升DC-DC转换器的效率
1:15