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东芝DTMOSVI系列产品通过降低Ron·Qgd的性能指数，可提升开关电源的效率
DFN2020B(WF)封装采用可焊锡侧翼引脚结构，可通过AOI设备确认可焊性。与SOT-23F封装相比，该封装在实现高散热性的同时，减少了约43%的贴装面积。
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本视频介绍了使用MOSFET栅极驱动IC的电源多路复用器电路的参考设计。支持MBB／BBM模式切换，并且在小电路板上实现了理想的二极管特性。
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通过优化芯片设计，π-MOS IX系列提供了比目前的π-MOS VII系列更低的峰值EMI噪声，同时保持相同的效率水平。
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L-TOGL™通过新的封装技术实现了大电流工作，以及行业领先的低损耗和低发热特性。
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我们提供具有双面冷却能力的封装，即通过一个散热器（顶部金属板）提供超低的通道至外壳热阻，所以采用DSOP Advance封装的MOSFET能简化热设计。
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S-TOGL™通过新的封装技术实现了高电流密度、低损耗和低发热量特性。
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