DTMOSⅥ系列高压MOSFET
1:06
描述
相关视频
东芝DTMOSVI系列产品通过降低Ron·Qgd的性能指数,可提升开关电源的效率
查看更多
查看更少
1:06
东芝DTMOSVI系列产品通过降低Ron·Qgd的性能指数,可提升开关电源的效率
通过优化芯片设计,π-MOS IX系列提供了比目前的π-MOS VII系列更低的峰值EMI噪声,同时保持相同的效率水平。
1:16
这是一款高效的DC-DC转换器,可将服务器上的48 V总线电压转换为 1.2 V/100 A,供服务器中的各种设备使用。电路设计和操作的设计文件和指南可用作参考设计。
3:36
L-TOGL™通过新的封装技术实现了大电流工作,以及行业领先的低损耗和低发热特性。
2:21
S-TOGL™通过新的封装技术实现了高电流密度、低损耗和低发热量特性。
2:06
本视频介绍了使用MOSFET栅极驱动IC的电源多路复用器电路的参考设计。支持MBB/BBM模式切换,并且在小电路板上实现了理想的二极管特性。
3:59
我们提供具有双面冷却能力的封装,即通过一个散热器(顶部金属板)提供超低的通道至外壳热阻,所以采用DSOP Advance封装的MOSFET能简化热设计。
2:41