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S-TOGL™通过新的封装技术实现了高电流密度、低损耗和低发热量特性。
在采用Type-C连接器方面，您需要帮助吗？ 东芝将根据客户的使用条件，针对Type-C连接器外围电源线和数据线提出合适的半导体产品。
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该视频介绍可实现小型化与高耗散功率的US2H和TSOP6F封装。与相同尺寸的其他封装相比它热阻仅为22%。
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我们提供具有双面冷却能力的封装，即通过一个散热器（顶部金属板）提供超低的通道至外壳热阻，所以采用DSOP Advance封装的MOSFET能简化热设计。
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东芝DTMOSVI系列产品通过降低Ron·Qgd的性能指数，可提升开关电源的效率
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DFN2020B(WF) package which uses a wettable flank structure, allows for confirmation of solderability in AOI equipment. And it reduces the mounting area by approximately 43% compared to the SOT-23F package while achieving high power dissipation.
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L-TOGL™通过新的封装技术实现了大电流工作，以及行业领先的低损耗和低发热特性。
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