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S-TOGL™は、新規パッケージング技術により、製品の高電流密度・低損失・低発熱の特性を実現するパッケージです。
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L-TOGL™は、新規パッケージング技術により、業界最高レベルの低損失・低発熱の特性を実現した、大電流動作が可能な製品です。
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大電流／高電圧SiC MOSFETモジュール用にゲートドライバー回路を開発。当社Dual SiC MOSFET モジュールにビルトイン可能な小型基板を実現。回路各部の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
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