東芝 Low Voltage MOSFET U-MOS IX-H
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東芝U-MOS IX-H Low Voltage MOSFETは、プロセス技術とパッケージング技術でRon・Qossの低減を業界最高水準(※)で達成しました。 (※2017年12月時点。当社調べ。)
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東芝U-MOS IX-H Low Voltage MOSFETは、プロセス技術とパッケージング技術でRon・Qossの低減を業界最高水準(※)で達成しました。 (※2017年12月時点。当社調べ。)
東芝独自のCOC 3層積チップ技術から生まれた新パッケージ品です。従来の2.54SOP6パッケージに対し上位スペックで、実装面積は約84%小型化しました。
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