車載MOSFET 新SMDパッケージ “S-TOGL™” のご紹介
2:04
説明
関連動画
S-TOGL™は、新規パッケージング技術により、製品の高電流密度・低損失・低発熱の特性を実現するパッケージです。
さらに表示
簡易表示
2:04
S-TOGL™は、新規パッケージング技術により、製品の高電流密度・低損失・低発熱の特性を実現するパッケージです。
東芝DTMOSⅥシリーズは性能指数:Ron・Qgdを低減することでスイッチング電源での効率向上に成功しました。
1:06
高許容損失かつ小型を実現したUS2H, TSOP6Fパッケージを紹介。他社同等パッケージサイズでありながら熱抵抗を最大22%低減に成功しました。
0:55
サーバーなどの48Vバスラインから基板上の各種デバイス向けに、1.2V/100Aを供給する高効率DC-DCコンバーターです。回路各部の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
3:32
チップデザインの最適化によりπ-MOSⅨシリーズは現行のπ-MOSⅦシリーズと比較して、効率を維持しつつ、EMIノイズピーク値を低減し、より使い易い製品になっております。
1:16
東芝U-MOSⅨ-H 100Vシリーズはオン抵抗と電荷量のトレードオフを改善することでDC-DCコンバータでの効率向上に成功しました。
1:14
東芝U-MOS IX-H Low Voltage MOSFETは、プロセス技術とパッケージング技術でRon・Qossの低減を業界最高水準(※)で達成しました。 (※2017年12月時点。当社調べ。)
1:59