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L-TOGL™は、新規パッケージング技術により、業界最高レベルの低損失・低発熱の特性を実現した、大電流動作が可能な製品です。
S-TOGL™は、新規パッケージング技術により、製品の高電流密度・低損失・低発熱の特性を実現するパッケージです。
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東芝U-MOS IX-H Low Voltage MOSFETは、プロセス技術とパッケージング技術でRon・Qossの低減を業界最高水準(※)で達成しました。 （※2017年12月時点。当社調べ。）
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東芝DTMOSⅥシリーズは性能指数：Ron・Qgdを低減することでスイッチング電源での効率向上に成功しました。
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Type-Cコネクタの導入でお困りではないですか？東芝はType-Cコネクタ周辺の電源ライン、データラインに対してお客様の使用条件に適した半導体製品を提案いたします。
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チップデザインの最適化によりπ-MOSⅨシリーズは現行のπ-MOSⅦシリーズと比較して、効率を維持しつつ、EMIノイズピーク値を低減し、より使い易い製品になっております。
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東芝U-MOSⅨ-H 100Vシリーズはオン抵抗と電荷量のトレードオフを改善することでDC-DCコンバータでの効率向上に成功しました。
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