車載MOSFET 新SMDパッケージ “S-TOGL™” のご紹介
2:04
説明
関連動画
S-TOGL™は、新規パッケージング技術により、製品の高電流密度・低損失・低発熱の特性を実現するパッケージです。
さらに表示
簡易表示
2:04
S-TOGL™は、新規パッケージング技術により、製品の高電流密度・低損失・低発熱の特性を実現するパッケージです。
東芝デバイス&ストレージ株式会社のパワー半導体は、カーボンニュートラルな社会の実現、電気消費量抑制のため、22年度下期より300mmシリコンウエハーによる増産を開始。ますます市場が拡大するパワー半導体の安定供給に向けて新製造棟の建設も決定。 ウエハーの大口径化と、より品質と効率の良い製造技術により大幅増産が可能となります。 自動車、鉄道、変電所など様ざまな場面で省エネに貢献し続けてまいります。
1:49
東芝最新のパワーデバイスとデジタルアイソレータ―を搭載し、同一トポロジーの既存リファレンスデザインに対し全負荷領域で効率向上を実現した1Uサイズの12V出力1.6kWサーバー用電源です。回路各部の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
4:02
L-TOGL™は、新規パッケージング技術により、業界最高レベルの低損失・低発熱の特性を実現した、大電流動作が可能な製品です。
2:18
サーバーなどの48Vバスラインから基板上の各種デバイス向けに、1.2V/100Aを供給する高効率DC-DCコンバーターです。回路各部の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
3:32
当社半導体を搭載したリファレンスデザイン、MOSFETゲートドライバーを適用したパワーマルチプレクサー回路をご紹介いたします。MBB・BBM切り替えが可能で、理想ダイオード特性を小型基板に実現しました。
4:06
eFuse IC応用回路を小型基板に実現。ThermoflaggerTM と組み合わせて異常発熱を検知し出力を遮断する回路、及び高精度な過電流遮断を行う回路を開発。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
4:13